Перейти к содержанию

Крёмер, Герберт

Материал из Мегавики — свободной энциклопедии
Герберт Крёмер
нем. Herbert Krömer
Дата рождения 25 августа 1928(1928-08-25)
Место рождения Веймар, Германия
Дата смерти 8 марта 2024(2024-03-08) (95 лет)
Научная сфера электротехника
Место работы Калифорнийский университет в Санта-Барбаре, Колорадский университет в Боулдере
Альма-матер Гёттингенский университет, Йенский университет]]
Награды и премии Нобелевская премия Нобелевская премия по физике (2000)

Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; 25 августа 1928, Веймар, Германия8 марта 2024) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».

Иностранный член Национальной инженерной академии США (1997)[1][2], иностранный член Национальной академии наук США (2003)[3].

Биография[править]

После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 году он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 году он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 год Крёмер преподавал в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.

Достижения[править]

Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

Награды[править]

Общественная деятельность[править]

В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО)[4][5][6].

Примечания[править]

  1. National Academy of Engineering Архивная копия от 15 сентября 2018 на Wayback Machine, 7 марта 1997  (англ.)
  2. Dr. Herbert Kroemer Архивная копия от 15 сентября 2018 на Wayback Machine  (англ.)
  3. Twenty-One Women in 2003 Class // Science, 09 May 2003: Vol. 300, Issue 5621, pp. 883-884  (англ.)
  4. 107 Nobel laureates sign letter blasting Greenpeace over GMOs. Дата обращения: 30 июня 2016. Архивировано 29 июня 2016 года.
  5. Laureates Letter Supporting Precision Agriculture (GMOs). Дата обращения: 30 июня 2016. Архивировано 7 июля 2016 года.
  6. Список нобелевских лауреатов подписавших письмо. Дата обращения: 30 июня 2016. Архивировано 2 сентября 2017 года.

Ссылки[править]